二〇二六年九月十六日，路透社引述三名知情人士稱，韓國SK海力士正與英特爾磋商在美國生產記憶體晶片，方案可能是租用英特爾位於俄亥俄州的設施，也可能與英特爾及大型雲端企業成立合資公司。相關討論尚未作出決定，連將生產DRAM、NAND還是高頻寬記憶體也未確定。表面看，這是一宗企業尋找新產能的合作案，實際牽動的卻是美國重建記憶體供應鏈、韓國守住核心技術以及亞洲晶片產能重新佈局三條線。
俄亥俄磋商正在改寫記憶體供應鏈 英特爾二〇二二年宣佈在俄亥俄州打造大型晶片製造基地，原定較早投產，但工程進度已延至二〇三〇年代初。對長期承受資金、工程進度和客戶信心壓力的英特爾而言，若能引入SK海力士，既可增加廠房利用率，也可藉助記憶體企業和雲端客戶的資金及訂單，爲遲延項目找到新的商業支點。對特朗普政府而言，外國企業在美國生產記憶體，則能直接回應人工智能及數據中心擴張造成的供應短缺，並把韓國企業的投資承諾轉化爲可見的本土產能。
SK海力士也有赴美設廠的現實壓力。公司在印第安納州建設的項目屬於高頻寬記憶體後段封裝，使用韓國及其他地區生產的DRAM，並非完整的晶圓前段製造。若俄亥俄合作成行，SK海力士的美國佈局便會由封裝延伸到晶圓製造，形成較完整的本地供應鏈。這可提升其對美國雲端客戶的交付能力，也可能降低美國以關稅、補貼和安全審查施加壓力時的被動程度。但美國的勞工和建設成本較高，半導體設備、材料、工程人才和配套供應商仍大量集中在亞洲，美國廠能否維持良率和成本競爭力，遠未因掛上「美國製造」標籤便得到答案。
前段製造外移觸碰韓國技術防線 韓國產業通商資源部已表明，企業是否赴美投資原則上由公司決定，但若涉及國家核心技術，便可能受到《產業技術保護法》審查。這一表態沒有否定合作，卻把真正的爭議推到技術邊界。先進DRAM和高頻寬記憶體不只是產品名稱，還包括製程參數、良率管理、設備整合、缺陷控制和客戶驗證。只要合作涉及其中部分環節，便可能出現技術人員外派、製程資料共享、設備供應商同步以及智慧財產權歸屬等問題。
SK海力士今年已宣佈在韓國清州投入一百兆韓圜，建設NAND晶圓廠和先進封裝設施，顯示公司並沒有放棄本土產能。韓國政府面對的不是是否允許企業海外擴張的簡單選擇，而是如何防止海外產能成長反過來削弱國內研發、人才和製造體系。若所有最新技術都被要求留在韓國，企業會失去接近美國客戶和政策資源的機會；若以市場壓力爲由把最敏感製程快速搬出，韓國多年建立的記憶體優勢便可能逐步變成由海外工廠掌握的生產能力。
這也是韓國審查不能只看投資金額的原因。合作究竟生產哪類晶片、採用哪一代製程、由誰控制關鍵設備、雲端企業能取得多少產能資訊，以及韓國方面能否在美國政策改變後保留退出權，都應在正式協議前明確界定。路透社目前披露的是探索性方案，並沒有證據顯示SK海力士已決定把最先進記憶體制程移往俄亥俄。把可能方案直接描述成核心技術外流，與把技術審查視爲可以忽略的行政程序，同樣不符合現況。
HBM本土化會把產能納入美國規則 高頻寬記憶體是人工智能加速器的重要配套，主要雲端企業希望透過長期合約或合資安排鎖定供應，說明記憶體已由一般零部件變成人工智能基礎設施的戰略資源。美國希望把晶圓、封裝、雲端採購和政府補貼放在同一個供應鏈框架內，韓國企業一旦參與其中，產能分配、客戶準入及出口合規便會受到更多美國規則牽引。